계장기술(PROCON)

신제품 650V 내압 GaN HEMT로 소형 및 고방열 TOLL 패키지

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작성자 최고관리자 댓글 0건 조회 1,047회 작성일 25-03-14 16:06

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오토모티브용 GaN 디바이스의 양산을 위해 개발 가속화

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로옴(ROHM) 주식회사(본사 : 교토 / www.rohm.co.kr)가 650V 내압 GaN HEMT의 TOLL(TO-Lead Less) 패키지 제품 「GNP2070TD-Z」의 양산을 개시했다. TOLL 패키지는 소형, 고방열 특성과 동시에 전류 용량 및 스위칭 특성도 우수하여 산업 기기 및 자동차 기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 어플리케이션에서 채용이 추진되고 있는 패키지다. 이번 패키지 제조에 있어서는 반도체 후공정 기업(OSAT)으로서 풍부한 실적을 보유한 ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.(이하, ATX)에 위탁했다.
신제품은 TOLL 패키지에 제2세대 GaN on Si Chip을 탑재하여 ON 저항과 입력 용량의 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표[RDS(ON)×Qoss]에 있어 업계 최고 수준의 수치를 실현했다. 이에 따라 고내압 및 고속 스위칭이 요구되는 전원 시스템의 한 차원 높은 소형화와 저전력화에 기여한다. 2024년 12월부터 양산(샘플 가격 3,000엔/개, 세금 불포함) 및 인터넷 판매를 개시하였고, CoreStaff Online™, Chip 1 Stop™ 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능하다.
신제품 양산에 있어 로옴은 베이스가 되는 일관 생산 체제에서 축적해 온 디바이스 설계 기술 및 노하우를 활용하여 설계와 기획을 실시했다. 2024년 12월 10일에 발표한 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(TSMC)와의 협업의 일환으로 전공정은 TSMC, 후공정은 ATX에서 생산하고 있다. ATX와는 오토모티브용 GaN 디바이스의 생산에 있어서도 협업을 예정하고 있다. 오토모티브 분야에서 GaN 디바이스의 채용은 2026년부터 가속화될 것으로 예상한다. 로옴은 자사에서의 개발과 협업 활동을 강화함으로써 오토모티브용 GaN 디바이스의 신속한 시장 투입을 실현해 나갈 계획이다.
로옴세미컨덕터코리아㈜ / (02)818-2714
 

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